什么是三极管
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问题一：HY2D 三极管 是什么三极管？ 硅贴片三极管，20V1500mA,625mW
可用8050替换
问题二：什么是三极管 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。
在双极性晶体管中，发射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和漏极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路； 在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，像是最大电压、最大电流、最大功率……，在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以藉由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
晶体管在电路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体......>>
问题三：三极管是什么？怎么用？ 三极管不能像你说的那样，输入10mA的电流凭空得到100mA的电流的。主要是通过一个小电流去控制了一个大电流的等比例变化而已。其实就是你理解的他有三个电极，比喻成水龙头b极就是基极（简单的理解就是控制极即水龙头的旋钮），c极就是集电极（水龙头的进水口），e极就是发射极（水龙头的出水口），当给基极输入较小的电流时，集电极与发射极之间就有较大的电流了，在一定的条件下，发射极的电流跟你输入的电流有一定的倍数关系，例如100倍的关系，就是基极输入1mA电流时，发射极的电流就是100mA，如果输入10mA的电流，那输出就是1000mA的电流。这就好比是你轻轻的拧一下水龙头的旋钮，出水口的水流就变化的很大是相同的道理。 当然，这些电流都是要靠电路中的电源来提供的。只是被电阻分成了一个小电流和一个大电流而已，分别连接了不同的三极管电极而已。就像是水厂的供水管道分成了粗细不同的水管给各家供水而已。 这样说是否可以理解呢？
问题四：三极管参数Vces是什么意思？ 三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate,Vces中的s就是此缩写)压降.
问题五：48103是什么三极管 5分 穿透电流是指晶体管基极开路时，集电极到发射极间的反向截止电流。符号为Iceo ，称作三极管的穿透电流。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件・其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，
也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
硬之城上面应该有这个，可以去看看有没有教程之类的，因为毕竟上面的技术资料型号等都很全面也是最新的，所以能解决很多问题。
问题六：三极管的参数是哪些？ 1、直流参数
(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.
(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.
(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.
(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:
β1=Ic/Ib
2、交流参数
(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.
(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:
α=△Ic/△Ie
因为△Ic0.90就可以使用
α与β之间的关系:
α= β/(1+β)
β= α/(1-α)≈1/(1-α)
(3)截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:
fβ≈(1-α)fα
(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.
3、极限参数
(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.
(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.
(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.
(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.
(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc>
问题七：三极管是干嘛用的？ 2天外银龙2先生讲的大好、大全面了，不过恭于初学者来讲，他们会越看越糊涂。
三极管，也称半导体三极管或叫晶体管。它有三个引脚或叫三个极，分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。
在电路中，三极管有个特性：就是一个很小的基极电流就会引起一个很大的集极电流。即：有一个很小的电流从基极流向射极(PNP型从射极流向基极)，就会引发一个大电流从集极流向射极(PNP型从射极流向集极)。这就是三极管的电流放大特性。利用这个特性，我们就可将微弱的电流信号放大。
问题八：什么是三极管的参数? 三极管的参数是指反映了三极管各种性能的指标,是分析三极管电路和选用三极管的依据。
这里有三极管参数大全
aterlin/zh-/a/19/2913
问题九：什么是数字三极管 就是在三极管的内部集成了1到2个的电阻，省掉了外围电阻的组装，减少用户的使用成本。
问题十：C2073是什么三极管？ 全称是2SC2073,硅NPN大功率三极管，具体参数见
wenku.baidu/...7
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问题二：什么是三极管 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。
在双极性晶体管中，发射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和漏极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路； 在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，像是最大电压、最大电流、最大功率……，在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以藉由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
晶体管在电路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体......>>
问题三：三极管是什么？怎么用？ 三极管不能像你说的那样，输入10mA的电流凭空得到100mA的电流的。主要是通过一个小电流去控制了一个大电流的等比例变化而已。其实就是你理解的他有三个电极，比喻成水龙头b极就是基极（简单的理解就是控制极即水龙头的旋钮），c极就是集电极（水龙头的进水口），e极就是发射极（水龙头的出水口），当给基极输入较小的电流时，集电极与发射极之间就有较大的电流了，在一定的条件下，发射极的电流跟你输入的电流有一定的倍数关系，例如100倍的关系，就是基极输入1mA电流时，发射极的电流就是100mA，如果输入10mA的电流，那输出就是1000mA的电流。这就好比是你轻轻的拧一下水龙头的旋钮，出水口的水流就变化的很大是相同的道理。 当然，这些电流都是要靠电路中的电源来提供的。只是被电阻分成了一个小电流和一个大电流而已，分别连接了不同的三极管电极而已。就像是水厂的供水管道分成了粗细不同的水管给各家供水而已。 这样说是否可以理解呢？
问题四：三极管参数Vces是什么意思？ 三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate,Vces中的s就是此缩写)压降.
问题五：48103是什么三极管 5分 穿透电流是指晶体管基极开路时，集电极到发射极间的反向截止电流。符号为Iceo ，称作三极管的穿透电流。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件・其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，
也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
硬之城上面应该有这个，可以去看看有没有教程之类的，因为毕竟上面的技术资料型号等都很全面也是最新的，所以能解决很多问题。
问题六：三极管的参数是哪些？ 1、直流参数
(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.
(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.
(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.
(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:
β1=Ic/Ib
2、交流参数
(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.
(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:
α=△Ic/△Ie
因为△Ic0.90就可以使用
α与β之间的关系:
α= β/(1+β)
β= α/(1-α)≈1/(1-α)
(3)截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:
fβ≈(1-α)fα
(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.
3、极限参数
(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.
(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.
(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.
(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.
(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc>
问题七：三极管是干嘛用的？ 2天外银龙2先生讲的大好、大全面了，不过恭于初学者来讲，他们会越看越糊涂。
三极管，也称半导体三极管或叫晶体管。它有三个引脚或叫三个极，分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。
在电路中，三极管有个特性：就是一个很小的基极电流就会引起一个很大的集极电流。即：有一个很小的电流从基极流向射极(PNP型从射极流向基极)，就会引发一个大电流从集极流向射极(PNP型从射极流向集极)。这就是三极管的电流放大特性。利用这个特性，我们就可将微弱的电流信号放大。
问题八：什么是三极管的参数? 三极管的参数是指反映了三极管各种性能的指标,是分析三极管电路和选用三极管的依据。
这里有三极管参数大全
aterlin/zh-/a/19/2913
问题九：什么是数字三极管 就是在三极管的内部集成了1到2个的电阻，省掉了外围电阻的组装，减少用户的使用成本。
问题十：C2073是什么三极管？ 全称是2SC2073,硅NPN大功率三极管，具体参数见
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