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内存的规格 内存频率越高 就越快 请参考下面 我只会列出常见的
DDR第一代 内存 有 DDR 266 DDR333 DDR400
DDR2 有 DDR2 533 DDR2 667 DDR2 800 DDR2 1066
DDR3 有 DDR3 1333 1667等等
DDR4根本就没出 现在DDR3都没普遍
我的就是 4GB DDR2 800的
那个数字就是内存频率 其实就是 800MHz
DDR第一代 内存 有 DDR 266 DDR333 DDR400
DDR2 有 DDR2 533 DDR2 667 DDR2 800 DDR2 1066
DDR3 有 DDR3 1333 1667等等
DDR4根本就没出 现在DDR3都没普遍
我的就是 4GB DDR2 800的
那个数字就是内存频率 其实就是 800MHz
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东莞市友贸实业有限公司_
2023-11-22 广告
2023-11-22 广告
第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术,可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。DDR5 DIMM 插槽支持 288 插针 SMT 型UMAXCONN - DDR5...
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内存的通道数量
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DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(现在被称为SDR)与标准DRAM有所不同。
标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚,采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通(RAS)锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后,列地址选通(CAS)锁存第二地址字。经过RAS和CAS,存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器(SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成,RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示,可以预测数据和剩余指令的位置。因而,数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性,所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式,可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同,只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz,与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同DDR3频率在800M以上,DDR2频率在800M以下。
DDR4内存有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2Gbps,而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚,采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通(RAS)锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后,列地址选通(CAS)锁存第二地址字。经过RAS和CAS,存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器(SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成,RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示,可以预测数据和剩余指令的位置。因而,数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性,所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式,可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同,只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz,与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。
DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同DDR3频率在800M以上,DDR2频率在800M以下。
DDR4内存有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2Gbps,而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
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