请问N沟道、耗尽型的场效应管的三个管脚怎么接？
2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测量栅极和源极之间不导通，源漏之间短路。
3.为什么一个新的管，用数字万用表二极管档测量漏极和源极之间，就是导通的？
请各位高手帮忙给个思路 展开
举例说明，自己画了一个通俗、简单的场效应管驱动LED的电路图，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。下面简要说明。
场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。
N沟道MOSFET管用法】：（栅极G高电平D与S 间导通，栅极G低电平D与S间 截止，P沟道与之相反）
栅极/基极(G)接控制信号，
源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。（这里只用最易理解的语言说说用法，事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极(G)和源极(S)之间的正压差）
这样，我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，你就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。
由于MOSFET管的快速开关特性，使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制，可以在输出端获得超高速切换的平均电压，这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失，效率一般在95%以上。
【P沟道MOSFET管用法】：】：（栅极G高电平D与S 间截止，栅极G低电平D与S间 导通）
栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极，漏极(D)接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。
当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。
MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是做为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。
另外，FET是电压控制电流源，直接挂在电源两端的话，直接就短路，所以还要和一个电阻串接一下。当然，这也取决于你想让FET工作在哪个区。
耗尽型本身在栅极0偏压的时候就存在沟道，自然是导通的。如果不导通，那就是增强型的了。
耗尽型mos管，栅极0电势的时候，元漏极是导通的，n沟道只有在栅极加反向电压才会截止，所以你拿下来测量源漏极之间肯定是导通的。
至于栅源之间，因为场效应管是电压型控制器件，与源级相连的沉底引线跟栅极之间是高阻抗绝缘的，是根据电场来控制的，所以你测量它俩之间肯定是不导通的
