mosfet属于什么器件
mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。
MOSFET，全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，还可以称作MOS、MOS管，中文是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种通过场效应控制电流的半导体器件，用金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应去控制半导体（S）的场效应晶体管，是最基础的电子器件。
特点是导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好，非常适用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS电源等电源控制领域。
根据工作电压的不同，功率MOSFET可分为工作电压小于100V中低压MOSFET和大于500V的高压MOSFET，其中中低压MOSFET多用于手机、数码相机和电动自行车等产品，而高压领域则包括风力发电、电焊机、高压变频器和发电设备等。
mosfet的工作原理
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。
如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。
这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。
以上内容参考百度百科-MOS
MOSFET的主要结构包括源极（Source）、栅极（Gate）、漏极（Drain）和基体（Body或Substrate）。源极是电流的输入点，漏极是电流的输出点，而栅极则是控制单元。通过改变栅极上的电压，可以控制源极和漏极之间的电流流动，使MOSFET起到开关或放大的作用。
基于其工作原理和用途，MOSFET可以进一步被分类为两种类型：增强型和耗尽型，每一种又可以细分为N-沟道和P-沟道。N-沟道MOSFET在应用栅极电压时导通，而P-沟道MOSFET在无栅极电压或电压为0时导通。
MOSFET在许多电子设备和系统中都有广泛应用，如电源电路、电动机驱动、放大器、模拟开关、数字电路等，由于它们的高输入阻抗、低功耗、高开关速度等优点，使得在很多领域比其他类型的晶体管更受欢迎。
