怎样用万用表判断晶体管的好坏?
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使用数字万用表测量晶体三极管的方法
数字式万用表体积小巧,便于观察数据,使用和携带方便,越来越多地被电子行业的从业人员和电子爱好者所使用。笔者经长期的实践,总结出一种使用 DT9205 型数字式万用表测量晶体三极管的简易方法,介绍给大家。
晶体三极管具有两个 PN 结,分别是集电结和发射结。两个 PN 结分成三个区:发射区,集电区和基区。这三个区在制造工艺掺入了浓度不同的杂质,组成一个完整的具有放大功能的晶体三极管,其发射区的掺杂浓度最高,集电区的掺杂浓度低于发射区,基区掺杂浓度最小。根据这一特性,可以迅速判断出晶体三极管的三个电极。
利用数字式万用表的二极管挡测量晶体三极管,此挡位的工作电压为 2V ,可以保证晶体三极管的两个 PN 结在施加此电压后具有正向导通、反向截止的 PN 结单向导电特性。
1 .基极的判定
将数字表的一支表笔接在晶体三极管的假定基极上,另一只表笔分别接触另外两个电极,如果两次测量在液晶屏上显示的数字均为 0 . 1V ~ 0 . 7V ,则说明晶体三极管的两个 PN 结处于正向导通,此时假定的基极即为晶体三极管的基极,另外两电极分别为集电极和发射极;如果只有一次显示 0 . 1V ~ 0 . 7V 或一次都没有显示,则应从重新假定基极再次测量,直到测出基极为止。
2 .三极管类型、材料的判定
基极确定后,红笔接基极的为 NPN 型三极管,黑笔接基极的为 PNP 型三极管; PN 结正向导通时的结压降在 0 . 1V ~ 0 . 3V 的为锗材料三极管,结压降在 0 . 5V ~ 0 . 7V 的为硅材料三极管。
3 .集电极和发射极的判定
有两种方法进行判定:一种是用二极管挡进行测量,由于晶体三极管的发射区掺杂浓度高于集电区,所以在给发射结和集电结施加正向电压时 PN 压降不一样大,其中发射结的结压降略高于集电结的结压降,由此判定发射极和集电极。
另一种方法是使用 hFE 挡来进行判断。在确定了三极管的基极和管型后,将三极管的基极按照基极的位置和管型插入到卢值测量孔中,其他两个引脚插入到余下的三个测量孔中的任意两个,观察显示屏上数据的大小,找出三极管的集电极和发射极,交换位置后再测量一下,观察显示屏数值的大小,反复测量四次,对比观察。以所测的数值最大的一次为准,就是三极管的电流放大系数卢,相对应插孔的电极即是三极管的集电极和发射极。
4 .质量的判定
(1) 正常:在正向测量两个 PN 结时具有正常的正向导通压降 0 . 1V ~ 0 . 7V ,反向测量时两个 PN 结截止,显示屏上显示溢出符号“ 1 ” 。集电极和发射极之间测量时,显示溢出符号“ 1 ” 。
(2) 击穿:常见故障为集电结或发射结以及集电极和发射极之间击穿,在测量时蜂鸣挡会发出蜂鸣声,同时显示屏上显示的数据接近于零。
(3) 开路:常见的故障为发射结或集电结开路,在正向测量时显示屏上会显示为 1 的溢出符号。
(4) 漏电:常见的故障为发射结或集电结之间在正向测量时有正常的结压降,而在反向测量时也有一定的压降值显示。一般为零点几伏到一点几伏之间,反向压降值越小,说明漏电越严重。
数字式万用表体积小巧,便于观察数据,使用和携带方便,越来越多地被电子行业的从业人员和电子爱好者所使用。笔者经长期的实践,总结出一种使用 DT9205 型数字式万用表测量晶体三极管的简易方法,介绍给大家。
晶体三极管具有两个 PN 结,分别是集电结和发射结。两个 PN 结分成三个区:发射区,集电区和基区。这三个区在制造工艺掺入了浓度不同的杂质,组成一个完整的具有放大功能的晶体三极管,其发射区的掺杂浓度最高,集电区的掺杂浓度低于发射区,基区掺杂浓度最小。根据这一特性,可以迅速判断出晶体三极管的三个电极。
利用数字式万用表的二极管挡测量晶体三极管,此挡位的工作电压为 2V ,可以保证晶体三极管的两个 PN 结在施加此电压后具有正向导通、反向截止的 PN 结单向导电特性。
1 .基极的判定
将数字表的一支表笔接在晶体三极管的假定基极上,另一只表笔分别接触另外两个电极,如果两次测量在液晶屏上显示的数字均为 0 . 1V ~ 0 . 7V ,则说明晶体三极管的两个 PN 结处于正向导通,此时假定的基极即为晶体三极管的基极,另外两电极分别为集电极和发射极;如果只有一次显示 0 . 1V ~ 0 . 7V 或一次都没有显示,则应从重新假定基极再次测量,直到测出基极为止。
2 .三极管类型、材料的判定
基极确定后,红笔接基极的为 NPN 型三极管,黑笔接基极的为 PNP 型三极管; PN 结正向导通时的结压降在 0 . 1V ~ 0 . 3V 的为锗材料三极管,结压降在 0 . 5V ~ 0 . 7V 的为硅材料三极管。
3 .集电极和发射极的判定
有两种方法进行判定:一种是用二极管挡进行测量,由于晶体三极管的发射区掺杂浓度高于集电区,所以在给发射结和集电结施加正向电压时 PN 压降不一样大,其中发射结的结压降略高于集电结的结压降,由此判定发射极和集电极。
另一种方法是使用 hFE 挡来进行判断。在确定了三极管的基极和管型后,将三极管的基极按照基极的位置和管型插入到卢值测量孔中,其他两个引脚插入到余下的三个测量孔中的任意两个,观察显示屏上数据的大小,找出三极管的集电极和发射极,交换位置后再测量一下,观察显示屏数值的大小,反复测量四次,对比观察。以所测的数值最大的一次为准,就是三极管的电流放大系数卢,相对应插孔的电极即是三极管的集电极和发射极。
4 .质量的判定
(1) 正常:在正向测量两个 PN 结时具有正常的正向导通压降 0 . 1V ~ 0 . 7V ,反向测量时两个 PN 结截止,显示屏上显示溢出符号“ 1 ” 。集电极和发射极之间测量时,显示溢出符号“ 1 ” 。
(2) 击穿:常见故障为集电结或发射结以及集电极和发射极之间击穿,在测量时蜂鸣挡会发出蜂鸣声,同时显示屏上显示的数据接近于零。
(3) 开路:常见的故障为发射结或集电结开路,在正向测量时显示屏上会显示为 1 的溢出符号。
(4) 漏电:常见的故障为发射结或集电结之间在正向测量时有正常的结压降,而在反向测量时也有一定的压降值显示。一般为零点几伏到一点几伏之间,反向压降值越小,说明漏电越严重。
参考资料: http://blog.163.com/huazai177/blog/static/4323320020091149497239/
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万用表测三极管NPN PNP型判断好坏方法
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用万用表的欧姆档,分别测量发射结和集电结的反向电阻,若很大则为好,否则为坏;再测量发射极与集电极之间的正向穿透电流,越小越好,若很大则晶体管性能很差。
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查PN结的正反向特性、放大倍数
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调到欧母档就可以测了
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