在霍尔效应中,电子导电和空穴导电产生的电势差方向是相反的(书上这么说的)。可空穴导电不就是电子引起
空穴是由电子填补产生的,可是分析下去,把空穴看成其本质的反方向的电子运动,其得到的电动势和书上说的(按空穴导电)是相反的!这个问题纠缠了我很久,高中到大学(还是上海交大)...
空穴是由电子填补产生的,可是分析下去,把空穴看成其本质的反方向的电子运动,其得到的电动势和书上说的(按空穴导电)是相反的!
这个问题纠缠了我很久,高中到大学(还是上海交大),被我问到的老师没有一个能解决的!哪位高手若能解决,实是感激不尽! 展开
这个问题纠缠了我很久,高中到大学(还是上海交大),被我问到的老师没有一个能解决的!哪位高手若能解决,实是感激不尽! 展开
3个回答
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楼主对空穴的理解有问题,空穴其实不是实际中的空穴,空穴其实是指能谱中的空隙。我不知道楼主学没学过固体物理。导体中的电子能带分为满带和导带。
半导体并不是全部的价电子都导电,只有导带的电子或者是满带的电子跃迁之后的空穴才导电。
现在我们加上磁场看看什么样子,空穴导电的时候,由于是满带电子跃迁,说明原来的满带中还有几乎充满的电子存在。这些电子也的确受到洛伦兹力的作用向A方向移动(A表示洛伦兹力的方向),但不要忘了,晶格的周期势场和电子之间的保利不相容原理仍然起作用。也就是低能级区域能够容纳的电子个数仍然是有限的。所以对于大量几乎充满的电子而言,和原来基本没有变化。但是对于空穴就不同了。
半导体并不是全部的价电子都导电,只有导带的电子或者是满带的电子跃迁之后的空穴才导电。
现在我们加上磁场看看什么样子,空穴导电的时候,由于是满带电子跃迁,说明原来的满带中还有几乎充满的电子存在。这些电子也的确受到洛伦兹力的作用向A方向移动(A表示洛伦兹力的方向),但不要忘了,晶格的周期势场和电子之间的保利不相容原理仍然起作用。也就是低能级区域能够容纳的电子个数仍然是有限的。所以对于大量几乎充满的电子而言,和原来基本没有变化。但是对于空穴就不同了。
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不知道为啥这个会是满意回答,真正的原因没有上过物理系的人很少知道,所以网上很多回答都是错的。 其实这和载流子的等效质量有关,导带中电子的m*>0, 价带顶的电子m*<0(空穴其实也就是价带顶的电子在运动),这样洛伦兹力施加上去后,符号不同的等效质量就会出现相反的运动方向。 其实高中的话就不用去深究了,大学里面不学固体物理的也不一定知道
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书上说错了。
中文的教课书有些有问题的,多数是抄的国外的,而且还抄不全、抄错!
空穴导电的话,电子必然反方向运动。如果电势差相反,那都抵消了,怎么会有霍尔效应?
中文的教课书有些有问题的,多数是抄的国外的,而且还抄不全、抄错!
空穴导电的话,电子必然反方向运动。如果电势差相反,那都抵消了,怎么会有霍尔效应?
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