Question

FGA25N120是什么三极管

Answer 1

FGA25N120不是三极管。

它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

扩展资料：

IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制的，当栅极加正电压时．MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的导通态压降。

在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断。

IGBT管与M()SFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极、发射极间施加十几伏的直流电压．只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。IGBT的电路符号仍然没有统一的画法。

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若1GBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极一发射极间施加十几伏的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。 

参考资料：百度百科绝缘栅双极型晶体管

Answer 2

fga25n120是一种集电极直流电流晶体管，最大功耗312WC。

该晶体管类型为IGBT，集电极直流电流为50A，饱和电压,Vce sat 最大为2.5V，最大功耗312W，电压, Vceo是1200V，工作温度范围在-55°C to +150°C。

凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电流。电流值可以全为正值,也可以全为负值。在直流电流中又可分为两种：稳恒直流和脉动直流。

扩展资料

直流输电技术已经由简单的端对端工程朝着大规模多端输电的方向发展，这些工程将是未来直流电网的组成部分，将相同电压等级的直流工程连接成网远比不同电压等级下的独立工程更经济、便捷。 

晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的PN结应该正偏，集电极-基极之间的PN结应该反偏。因此，设置晶体管基射结正偏、集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路。

参考资料来源：百度百科-fga25n120

参考资料来源：百度百科-直流电压

Answer 3

FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

Answer 4

FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。