神舟笔记本f12进不了u盘启动怎么办?

 我来答
阿藏聊教育
高能答主

2021-09-29 · 我是教育知识通,关注最新教育事
阿藏聊教育
采纳数:34 获赞数:13016

向TA提问 私信TA
展开全部

应先将U盘制作为可引导系统的盘(就是启动盘)。然后将系统文件复制到该U盘的GHO文件夹或ISO文件夹中(系统文件是GHO文件就复制到GHO中,是ISO文件就复制到ISO文件夹中,系统文件可以购买或下载,如果下载建议去系统之家)。

再用该U盘引导电脑(通常是将已制作好的U盘启动盘插入U口,启动电脑后按ESC键或F8或F9或或F10或F11或F12等,不同电脑会有不同,调出引导菜单后选择U盘引导),进去后先备份重要资料,然后就可以装系统了。

存储原理

计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号(加入分配、核对、堆栈等指令),读写到USB芯片适配接口,通过芯片处理信号分配给EEPROM存储芯片的相应地址存储二进制数据,实现数据的存储。

EEPROM数据存储器,其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值,栅晶体管的结电容可长时间保存电压值,断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅。

浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传输电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。

闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。

这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流。

而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响。

以上内容参考:百度百科-U盘

推荐律师服务: 若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询

为你推荐:

下载百度知道APP,抢鲜体验
使用百度知道APP,立即抢鲜体验。你的手机镜头里或许有别人想知道的答案。
扫描二维码下载
×

类别

我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。

说明

0/200

提交
取消

辅 助

模 式