Question

半导体是谁发明的?

Answer 1

法拉第发现的，不是发明。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

扩展资料：

半导体的应用：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：参考资料来源——半导体

Answer 2

半导体的发明

早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不绝；第一个有实验结果的放大器是1938年，由波欧(Robert Pohl， 1884~1976)与赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。
二次大战后，美国的贝尔实验室(Bell Lab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(William Shockley， 1910~1989)与摩根(Stanley Morgan)。由于使用场效应(field effect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surface state)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了！但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极 (emitter)，负电压的称为集极 (collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极 (base)，构成第一个点接触电晶体 (point contact transistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶体制作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。

另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管 (junction transistor) 的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能调控电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管 (bipolar transistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。

晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司（Western Electric）开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA) 与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(Texas Instruments)开发成功；约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来；在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。

早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor)发展出平面工艺技术(planar technology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长。

Answer 3

在1844年，电报机被发明出来，可以在远地互相通讯，但是还是必须依赖「导线」来连接。而收音机讯号的收、发，却是「无线电通讯」；整个无线电通讯发明的历史，是多位科学家先后研究发明的结果。

1888年 德国科学家赫兹 (Heinrich Hertz)，发现了无线电波的存在。

1895年 苏联物理学家波帕夫 (Alexander Stepanovitch Popov)，宣称在相距600码的两地，成功地收发无线电讯号。

同年稍后，一个富裕的义大利地主的儿子年仅21岁的马可尼 ( Guglielmo Marconi)在他父亲的庄园土地内，以无线电波成功地进行了第一次发射。

1897年 波帕夫以他制做的无线通讯设备，在海军巡洋舰上与陆地上的站台进行通讯成功。

1901年 马可尼发射无线电波横越大西洋。

1906年 加拿大发明家费森登 (Reginald Fessenden)首度发射出「声音」，无线电广播就此开始。

同年，美国人德．福雷斯特 (Lee de Forest)发明真空电子管，是真空管收音机的始祖。

之后到现在 又有改良的半导体收音机（原子粒收音机）、电晶体收音机出现。

其实，关於收音机的发明者是有所争论的；有人说是波帕夫，有人说是马可尼。波帕夫（Alexander Stepanovitch Popov : 1859 1906）苏俄的物理学家，1859年出生於苏俄，是一位牧师的儿子；从1885年开始投入心力，踏随着前人马克斯威尔及赫尔兹的脚步，研究无线电通讯。并在1895年5月7日的一场演讲中，公开他改良洛治（Lodge）的接收器后成功发射及接收了无线电讯号的研究结果。1901年起，担任圣彼德堡大学的物理学教授；有人认为他才是真正发明收音机的人，但是或许因为他是一位学者，太过专心於学术的研究，并没有让收音机的发明广为世人所知；也或许是因为波帕夫的发明被苏联海军认为是军事上的一大利器而列入机密，不对外公布。相反地，马可尼却非常地有商业头脑，据说，他成立世上第一所收音机工厂并获得专利权，但是有人批评他制造的收音机，只是结合了其他人的发明——赫尔兹（Hertz）的线圈天线、洛治（Lodge）的调谐器及接收器、尼哥拉．特尔沙(Nikola Telsa)的火花器。但是，他在无线电设备的实际应用方面，却很有贡献！

所以，到底是谁发明了收音机呢？科学的发现与发明常常都是许多科学家们同时或先后努力研究的结果，尤其是近代的发明家，很少有人可以单打独斗地完成一个划时代的发明的。你说呢？

Answer 4

中国半导体之父张汝京

Answer 5

早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不绝；第一个有实验结果的放大器是1938年，由波欧(Robert Pohl， 1884~1976)与赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。
二次大战后，美国的贝尔实验室(Bell Lab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(William Shockley， 1910~1989)与摩根(Stanley Morgan)。由于使用场效应(field effect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surface state)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了！但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极 (emitter)，负电压的称为集极 (collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极 (base)，构成第一个点接触电晶体 (point contact transistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶体制作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。

另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管 (junction transistor) 的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能调控电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管 (bipolar transistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。

晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司（Western Electric）开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA) 与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(Texas Instruments)开发成功；约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来；在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。

早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor)发展出平面工艺技术(planar technology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长