Question

运放加达林顿管（三极管）组成的的恒流源原理？

求问此图原理，急！

Answer 1

简单的说一下吧。你最好找一本模拟电子技术的书，我这里有本童诗白的《模拟电子技术基础》第四版，就以这个为参考书吧。
1、先看恒流部分，Q1+R7，Q1是达林顿管，相当于一个NPN三极管，而下面有个R7，你看看像什么电路？
貌似像共集放大电路是吧？就是这个。共集放大电路也叫射极跟随器，它的三极管E极电压会跟随基极电压变化而变化，你这里用了一个达林顿管，近似相当于两个B-E 电压，我们在理论上可以认为Ue=UB-2UBEQ=UB-1.4V.
而Ue加在R7 上，形成发射极电流IE，三极管IC近似等于IE，也就意味着IC=IE=UE/R7。而UE=UB-1.4V，也就是IC=(UB-1.4)/R7
2、反馈部分：U3B及周围一圈电阻组成，这个是一个差分放大电路，放大的就是R7两边电压。（参考书的P333页图7.1.12）。放大倍数是(R6+R5)/R3，根据你的现有值，大概是在6-7.5倍之间。C5是积分电路，用于补偿相位。
3、比较器部分，也就是U3A的电路，这个是用于比较器，跟DA输出（这个其实是你的电流设定值）比较，DA输出比反馈电压高，说明实际电流小于设定值，比较器输出高电平，驱动三极管导通获得电流。相反，如果DA输出比反馈电压小，说明实际电流过大，比较器输出低电平，三极管截止，电流中断。相当于一个PWM控制。
不过这个电路我感觉并不完美，首先是达林顿管比一般的三极管、场效应管更难控制，用PWM可能效果不是特别好，用单个大功率三极管的话，你的运放输出电流可能还不一定够，你既然后端选择用PWM，还不如将这个管子换成N沟道增强型MOSFET，比如IRF540N（背一个散热片）这种，MOS管用于PWM控制比较方便。另外，MOSFET要根据你的输出电流要求调整，如果电流超过1A的话，可以适当选用TO3封装的MOSFET，比如IRFP250这类的。
在反馈这部分，R3与同相端之间最好并联一个电阻到地，这个电阻的阻值就是你的反馈电阻R5+R6阻值。你有必要事先进行严密计算一下所需要的增益，同时选择精度比较高的金属膜电阻，至少1%。直接用于替换R5+R6，R3、R4也要这么做，LM358的精度比较低，U3B可以换成OP07精密运放。这样在后期单片机处理的时候会方便一点。
另外，个人觉得采样电阻也稍微大了一点，可以更小一点，比如0.01欧，采用康铜丝这类金属材料做的采样电阻（增益可以稍微再调大一些） ，这样发热量也可以控制。R7用一般的功率电阻，电流大的话，发热很厉害，会影响电阻的阻值。