irf740场效应管参数
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IRF740参数如下：
晶体管极性：N沟道；
漏极电流, Id 最大值：10A (at 25℃)；
电压, Vgs 最大：20V；
开态电阻, Rds(on)：典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=5.3A）；
电压最高：400V；
功耗：2.5W；
封装类型：TO 220；
针脚数：3；
晶体管类型：MOSFET；
满功率温度：25°C。
IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
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