norflash和nandflash区别
区别如下:
1.NAND FLASH读取速度与NOR Flash相近,根据接口的不同有所差异;
2.NAND FLASH的写入速度比NOR Flash快很多;
3.NAND FLASH的擦除速度比NOR Flash快很多;
4.NAND FLASH最大擦次数比NOR Flash多;
5.NOR Flash支持片上执行,可以在上面直接运行代码;
6.NOR Flash软件驱动比NAND FLASH简单;
7.NOR Flash可以随机按字节读取数据,NAND FLASH需要按块进行读取。
8.大容量下NAND FLASH比NOR Flash成本要低很多,体积也更小
Nor Flash存储器简介
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是类似,用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码,这样可以减少 SRAM 的容量从而节约成本。
intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是其很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
Nand Flash存储器简介
Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等
nandflash和norflash的区别如下:
1、开发的公司不同:
NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)。
Nandflash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
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2、存储单元关系的不同:
两种FLASH具有相同的存储单元,工作原理也一样,但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的,而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理,必须对存储单元进行统一编址。
3、擦除操作的不同:
NANDFLASH执行擦除操作是十分简单的,而NORFLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NORFLASH时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NANDFLASH是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
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