Question

使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?

Cy的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,并且该时间是温度的函数.setting T to 0°C and using the hot value for B and M. This simplification is acceptable only if the total number of erase write ycles are kept to less than 10 and the operation is performed near room temperature.翻译为:设置温度T=0°C,并使用高温段的B和M参数计算擦除和写入时间.在芯片实际温度为室温时,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次(不是100次也不是1000次,而是十次). 其内部的温度传感器误差为:Accuracy of ± 20°C with no calibration .没有校正的误差为± 20°C.

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Answer 1

在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加， 问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性，我们用PSoc已经6年(200万片)，目前还未 出现您所怀疑的问题，请仔细阅读技术样本 查看原帖>>