Question

pn节正向导通,其内外电场方向为什么不一致

Answer 1

这种说法是错的。

PN结的正偏和正向导通不是一个概念。

1、PN结的正偏是一种连接方式，正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路。

2、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

扩展资料：

PN 结的击穿机理

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。

在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。

实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。

由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。 

Answer 2

PN结
加
正向电压
时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于
正向偏置
。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使
空间电荷区
变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内
电场方向
相反。
拓展资料
关于PN结
1、采用不同的掺杂工艺，通过
扩散作用
，将
P型半导体
与
N型半导体
制作在同一块半导体（通常是硅或锗）
基片
上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN
junction）。
2、特性：从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使
载流子
可以继续运动，从而形成线性的
正向电流
。而外加
反向电压
则相当于
内建电场
的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的
反向电流
（由
少数载流子
的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。
3、发展过程：1935年后
贝尔实验室
的一批科学家转向研究Si材料，1940年，用
真空熔炼
方法拉
制出
多晶
Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结，发现了Si中杂质元素的
分凝现象
，以及
施主
和
受主杂质
的
补偿作用
。
参考资料：
百度百科
-PN结

Answer 3

PN结的正偏和正向导通不是一个概念。
1、PN结的正偏是一种连接方式，正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路。
2、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

Answer 4

n型半导体是电子多，由于电子（图b中实体心的小圆）带负电，故用（negative）表示，p型半导体是空穴多，由于空穴（图b中空心的小圆）带正电，故用（positive）。N型半导体中主要是加入的杂质原子失去电子，所以原子带正电，即o原子中写了一个+，由于杂质原子失去的电子（电子本身带负电）仍然存在于与N型半导体中，中和之后呈中性。