处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子扩散运动形成的。( )

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处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子扩散运动形成的。(错误)

当晶体管处于放大状态时,其集电极电流主要是由多子漂移运动形成的。

放大状态时发射结正偏,集电结反偏,发射极促进多子运动,集电极促进的是少子的运动,集电极的这些少子来自发射极的多子,所以浓度远远大于集电极本身的多子,所以叫非平衡少子,由于集电结反偏,促进这些非平衡少子运动,产生了集电极的主要电流。

由于其响应速度快,准确性高,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

扩展资料

严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管(二端子)、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。

三端子晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET,单极性)。晶体管有三个极(端子);双极性晶体管的三个极(端子),分别是由N型、P型半导体组成的发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector)。

场效应晶体管的三个极(端子),分别是源极(Source)、栅极(Gate,门极)和漏极(Drain)。

晶体管因为有三个电极,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。

创远信科
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