mos管驱动为什么要用图腾柱?用一个三极管不行吗?
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有时候一个三极管也行,这个要具体分析了。
一般认为MOS管的栅极输入电阻极大,没记错的话有10的9次方以上,既然这样就可以认为栅极就是开路的,那么对栅极施加控制电压时,应该几乎没有电流才对,但实际上栅极对漏极、源极呈现出一个较大的分布电容,此时如果栅极信号是脉冲,脉冲信号跳变的时候栅极的这个电容就会充电或者放电,从而产生电流。当脉冲频率非常高时,这个电容所造成的影响会非常突出,开关电源中为了确保MOS几乎不在线性区域内停留,需要尽最大的可能去加快栅极的跳变沿,这就使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电,才能确保栅极电压以极快的速度跳变,由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A,这种情况下当然首选驱动能力强的乙类放大电路(MOS这里叫做图腾柱电路)来提供栅极信号。
一般认为MOS管的栅极输入电阻极大,没记错的话有10的9次方以上,既然这样就可以认为栅极就是开路的,那么对栅极施加控制电压时,应该几乎没有电流才对,但实际上栅极对漏极、源极呈现出一个较大的分布电容,此时如果栅极信号是脉冲,脉冲信号跳变的时候栅极的这个电容就会充电或者放电,从而产生电流。当脉冲频率非常高时,这个电容所造成的影响会非常突出,开关电源中为了确保MOS几乎不在线性区域内停留,需要尽最大的可能去加快栅极的跳变沿,这就使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电,才能确保栅极电压以极快的速度跳变,由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A,这种情况下当然首选驱动能力强的乙类放大电路(MOS这里叫做图腾柱电路)来提供栅极信号。
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1、mos管驱动要用图腾柱,是因为MOS管的栅极输入电阻极大,使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。当脉冲频率非常高时,这个电容所造成的影响会非常突出,由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A,从而产生电流,因此要选驱动能力强的图腾柱电路来提供栅极信号。如果栅极信号是脉冲,一个三极管也可以。
2、mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
3、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
2、mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
3、三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
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