TTL是由晶体管构成的逻辑电路，这里所谓的TTL信号是一个电平标准。由于器件的电压不同，TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样。
所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平信号来触发它。
从百度百科：
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。 从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。
第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃) ，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。
第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。
第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。
各类TTL门电路的基本性能：
电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类：
门电路
译码器/驱动器
触发器
计数器
移位寄存器
单稳、双稳电路和多谐振荡器
加法器、乘法器
奇偶校验器
码制转换器
线驱动器/线接收器
多路开关
存储器
特性曲线电压传输特性
TTL与非门电压传输特性 LSTTL与非门电压传输特性
瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形如 右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。
延迟时间td
下降时间tf
存储时间ts
上升时间tr
基本单元“与非门”常用电路形式
四管单元 五管单元 六管单元
主要封装形式
双列直插
扁平封装
TTL反相器工作原理，请参照《数字电子技术基础》第四版 高等教育出版社，清华大学电子教研室 阎石主编的P53页电路图
1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通，这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb2<0.7v，所以T2截止,T3导通，T4截止，Vo输出为高电平。
2、当Vi=Ve1=3.6v 时T1也导通，这时Vb1被临时钳制到3.6v+0.7=4.3v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb2>0.7v，所以T2导通，侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4>0.7v,所以T4导通，由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V，所以T3截止；所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通，并且发射极接地，反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。
第二个T代表三极管型输出
DTL是二极管型输入、三极管型输出的数字集成块
所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平信号来触发它。
从百度百科：
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。 从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。
第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃) ，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。
第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。
第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。
各类TTL门电路的基本性能：
电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类：
门电路
译码器/驱动器
触发器
计数器
移位寄存器
单稳、双稳电路和多谐振荡器
加法器、乘法器
奇偶校验器
码制转换器
线驱动器/线接收器
多路开关
存储器
特性曲线电压传输特性
