为什么P型半导体是电中性

P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;这就不可能是电中性了啊单晶硅是中性的... P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;

这就不可能是电中性了啊 单晶硅是中性的
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暴走爱生活55
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2019-07-07 · 我是生活小达人,乐于助人就是我
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是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的,而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。

P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

扩展资料:

一、特点

半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。

因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

二、形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中,化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子。

氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴,Cu₂O、NiO、VO₂等均是该类型的P型半导体,且当它们在氧压中加热后,空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷,均称受主。

参考资料来源:百度百科-P型半导体

xmx028
推荐于2018-04-17 · TA获得超过3954个赞
知道小有建树答主
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对于p型半导体,其中的空穴是多数载流子,但是这些带正电的空穴主要是来自于受主杂质原子的电离。
当一个受主原子电离出一个空穴后,本身就带有一个负电荷,则它们的正负电荷相等,保持为电中性;许多受主原子电离出同样多的空穴后,整个半导体仍然保持为电中性。所以,不管空穴浓度比电子浓度大多少,半导体始终是电中性的。
同样,对于电子是多数载流子的n型半导体,也是电中性的。
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撕浮趁机
推荐于2016-08-25 · 知道合伙人养生行家
撕浮趁机
知道合伙人养生行家
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发表论文一篇 具有: 公共营养师证(三级) 黑龙江省乡镇公共卫生医师证 药学本科毕业后考入事业单位工作

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  由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。
  原因:三价的硼得到一个电子变成负离子,而硅失去一个电子变成正离子。

  相关知识拓展:P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
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6661929
2010-03-25
知道答主
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因为电中性是从半导体整体来看的,当半导体出于热平衡状态下,其内部的导电载流子就会处于本证激发状态,即产生一个电子的同时会产生一个空穴,所以电子数目=空穴数目,即出现半导体的电中性
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2020-11-26 · TA获得超过5.9万个赞
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