igbt与mosfet的相同和不同之处
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实际上,IGBT是MOSFET和GTR的达林顿连接。MOSFET是单极型器件,GTR是双极型器件。所以IGBT是混合型器件。IGBT的输入特性与MOSFET一样,输出特性与GTR一样。
IGBT和MOSFET都是电压驱动型器件。他们可以用同样的驱动电路。
由于GTR的特点是功率容量(电流耐力和电压耐力)大,开关速度慢。
而MOSFET的特点是,功率容量小,开关速度快。
而IGBT的特点是介于二者之间的。
就是说IGBT的特点是功率容量较大,开关速度较快,能力比较综合。
IGBT和MOSFET都是电压驱动型器件。他们可以用同样的驱动电路。
由于GTR的特点是功率容量(电流耐力和电压耐力)大,开关速度慢。
而MOSFET的特点是,功率容量小,开关速度快。
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