N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。怎么解释 不懂??

 我来答
刺任芹O
2022-11-16 · TA获得超过6.2万个赞
知道顶级答主
回答量:38.7万
采纳率:99%
帮助的人:8909万
展开全部

n代表negative 表示富电子体系。一般是硅杂V族元素,多了电子。所以大多数载流子是自由电子。

P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体。

N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。

N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子。


扩展资料:

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时。

可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。

参考资料来源:百度百科-N型半导体

推荐律师服务: 若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询

为你推荐:

下载百度知道APP,抢鲜体验
使用百度知道APP,立即抢鲜体验。你的手机镜头里或许有别人想知道的答案。
扫描二维码下载
×

类别

我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。

说明

0/200

提交
取消

辅 助

模 式