怎样用半导体二极管及其电路来解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同?

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刺任芹O
2022-11-16 · TA获得超过6.2万个赞
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雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。\x0d\x0a齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂志,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。\x0d\x0a热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率,PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。\x0d\x0a热击穿与电击穿的不同:电击穿可逆,而热击穿不可逆。
GamryRaman
2023-06-12 广告
雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。 齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂质,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。 热击穿:加在PN结两端的电压和流过P... 点击进入详情页
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