PNP三极管工作原理
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在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。
晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
PNP晶体管的发射结要正偏,基区的电压要比发射区的电压要低,而集电极要使多数载流子空穴通过,集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。
在双极模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求,需要引入PNP结构的晶体管。如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。
纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区,集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区,用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通,在电路中总是接在最低电位处,这使它的使用场合受到了限制,在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
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