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温度升高,Ic增大,发射极电阻Re两端的电压约为Ue=Ic*Re也跟着增大
即发射极对地电位上升
又因为基极的对地电位VB不变（由电源电压和两个分压电阻的阻值决定）
故发射结电压UBE=VB-VE减小
所以IB减小
则IC=βIB减小,从而保持IC基本不变.
要搞清楚谁决定谁的问题（因果关系） 2UBE减小导致IB减小是根据三极管的输入特性得到的 3Vb等于×Vcc没错 4IE=（Vb-Vbe）/Re Ib=Ie/β 这是逆向思维的求法 实际上是IB决定IE，而不是IE决定IB。
即发射极对地电位上升
又因为基极的对地电位VB不变（由电源电压和两个分压电阻的阻值决定）
故发射结电压UBE=VB-VE减小
所以IB减小
则IC=βIB减小,从而保持IC基本不变.
要搞清楚谁决定谁的问题（因果关系） 2UBE减小导致IB减小是根据三极管的输入特性得到的 3Vb等于×Vcc没错 4IE=（Vb-Vbe）/Re Ib=Ie/β 这是逆向思维的求法 实际上是IB决定IE，而不是IE决定IB。
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GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必......
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本回答由GamryRaman提供
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