Question

内存类型中SRAM和DRAM什么区别？

Answer 1

1. SRAM存储元件所用MOS管多，占硅片面积大，因而功耗大，集成度低；DRAM存储元件所用MOS管少，占硅片面积小，因而功耗小，集成度很高；

2. SRAM采用一个正负反馈触发器电路来存储信息，所以只要直流供电电源一直加在电路上，就能一直保持记忆状态不变，所以无需刷新。DRAM采用电容存储电荷来存储信息，会发生漏电现象，所以要使状态保持不变，必须定时刷新；因为读操作会使状态发生改变，故需读后再生。
   

3. SRAM不会因为读操作而使状态发生改变，故无需读后再生，特别是它的读写速度快，其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。DRAM因为特别是它的读写速度相对SRAM元件要慢的多，其存储原理可看作是对电容充、放电的过程。

4. SRAM价格比较昂贵，因而适合做高速小容量的半导体存储器，如Cache。相比于SRAM、DRAM价格较低，因而适合做慢速大容量的半导体存储器，如主存。有三种刷新方式：集中、分散和异步。

扩展资料：

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

参考资料：SRAM百度百科 DRAM百度百科