IGBT模块损坏的原因有哪些?

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2022-12-24 · 探索生活中的科学奥秘
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一、死区变窄
死区的宽窄主要取决于IGBT管的关断时间。影响判断时间的主要因素有:
1、环境温度。环境温度高,将延长IGBT管的判断时间,使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄,甚至导致直通。这就是在夏天,模块烧坏的故障率偏高的原因。2、变频器的输出电流过大。
变频器的输出电流大,也会延长IGBT管的关断时间,导致直通。
二、驱动不足
驱动不足也即驱动电压偏低,容易使IGBT管进入放大状态,IGBT管的功耗大幅增加,IGBT管将迅速烧毁。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

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