プレーナ中文翻译
DAMキャビティ构造について，伝送线路の一つであるグランデッド?コ プレーナ 线路（GCPW）を例に取って说明する。
对于DAM空腔结构，笔者将以传输线路之一的接地共面线路（GCPW）为例进行说明。
测定に使用したγ线スペクトロメーター（LEPS）は，低エネルギーγ线测定用の プレーナ 型（300mm2×10mm）高纯度ゲルマニウム半导体検出器である。
测量中使用的γ射线光谱（LEPS）是底能量γ射线测量用平面型高纯度镉半导体检测器。
この距离は受动素子を集积した高周波ICにおいてはコ プレーナ 线路のキャップと同等であるため，集积度を著しく低下させるものではなく，実用上问题のないレベルである。
该距离在集成无源元件的高频IC中与共平面线路的间隙相等，因此不会造成集成度明显下降，在实用上不构成问题。
Metal?2は地导体／信号线／地导体（GSG）のコ プレーナ 线路を构成し，信号线の両脇を走る地导体は図1に示す接続ビアを介してMetal?1の地导体に接続される。
Metal－2构成的是接地导体／信号线／接地导体（GSG）的共面线路，位于信号线的两肋的接地导体如图1所示，通过接线孔与Metal－1的接地导体连接。
図2は厚膜酸化层が20?30μm程度の时に特性インピーダンスが2GHzにおいて50Ω程度になるコ プレーナ 线路（线幅50μm，グランドとのギャップ20μm，线长1mm）のモデルについて，Sonnet社の电磁界シミュレータSonnetを用いて，伝送损失S21の线路下の酸化膜厚依存性を求めたものである。
图2是通过对厚膜氧化层为20～30μm左右时，特性阻抗在2GHz下为50Ω左右的共平面线路（线宽50μm，接地间隙20μm，线长1mm）的模型，使用Sonnet公司的电磁场模拟器Sonnet，求传输损失S21的线路下的氧化膜厚依赖性得到的。
