Question

杂质半导体的多数载流子浓度由()决定。

Answer 1

杂质半导体的多数载流子浓度主要由施主、受主杂质浓度以及温度等因素决定。

1.施主与受主杂质浓度

杂质半导体中的施主杂质可以向半导体晶体中掺入电子，形成多余电子，称为n型半导体。受主杂质可以接受半导体中的电子，形成多余空穴，形成p型半导体。不同杂质浓度掺入后，电子和空穴的浓度也会相应发生变化。

2.温度

在一定的杂质浓度下，温度对多数载流子浓度也产生影响。随着温度的升高，杂质半导体中的载流子浓度逐渐增加。

3.点缺陷

点缺陷是半导体材料中无法避免的问题，这些缺陷可能对多数载流子浓度产生影响。例如，缺陷能够促进电子与准禁带电子结合，从而减少自由电子的浓度，增加空穴浓度。

4.杂质活性

杂质活性是指半导体中的杂质原子以何种程度参与到晶格中。杂质活性较高时，多数载流子浓度也会相应提高。

5.纯度

半导体的纯度对多数载流子浓度同样有影响。高纯度的半导体材料更加有利于电子和空穴的自由移动，因此会使多数载流子的浓度增加。

6.光照

光照作用下，半导体中的载流子受激发而产生复合，这可能导致多数载流子浓度降低。但是，也可以利用光照来提高半导体中的载流子浓度，例如在太阳能电池中就利用了这一原理。

7.掺杂方式

不同的掺杂方式也会对多数载流子浓度产生影响。例如，在n型掺杂时采用铍(Be)或硼(B)作为施主杂质掺入，它们与硅原子结合后，可以形成四价或三价原子，从而导致载流子浓度的差异。

总之，理解杂质半导体多数载流子浓度的决定因素可以帮助我们更好地设计、制造和应用半导体材料。