场效应管和三极管在实际应用中有什么不同?
1、功耗大小不一样。场效应管发展很快,现在的低压场效应管的导通电阻可以做到2毫欧晶体管的导通压降在0.2-0.3V,所以开关电源常用。
2、驱动更便捷。在不要求速度的条件下,场效应管的驱动简单(电压型)。
3、抗压性不同。场效应管对电压敏感,过压损坏的概率比晶体管大,这是不足之处,驱动继电器的时候使用晶体管比较可靠(防反压)。
4、试用功能不一样。但场效应管还可以作为压控电阻使用,可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
2024-07-24 广告