STC单片机的FLASH程序存储器、SRAM字节、EEPROM有什么区别与联系?
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FLASH程序存储器存程序,单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。
SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方,一般不太大,从128字节到几K字节都有,一掉电数据就没了。
EEPROM是掉电也不丢数据的存储器,一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位,一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。
扩展资料:
特点:
EEPROM可单字节操作更灵活,FLASH存储量更大些FLASH:只能块擦除(叫块擦除更准确吧,原文是BLOCK),举例说明:比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节(不同的FLASH大小不同),那么只有擦除过(所有位写“1”)的BLOCK才能重新写入。
意思就是只能从“1”写到“0”,如果要从“0”改到“1”必须整块擦除,而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作,没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。
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特点:EEPROM可单字节操作更灵活,FLASH存储量更大些FLASH:只能块擦除(叫块擦除更准确吧,原文是BLOCK),举例说明:比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节(不同的FLASH大小不同),那么只有擦除过(所有位写“1”)的BLOCK才能重新写入,意思就是只能从“1”写到“0”,如果要从“0”改到“1”必须整块擦除,而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作,没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。当用来保存设备工作状态,等灵活而又独立的信息时最好用EEPROM。
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
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FLASH程序存储器存程序,单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。
SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方,一般不太大,从128字节到几K字节都有,一掉电数据就没了。
EEPROM是掉电也不丢数据的存储器,一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位,一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。
SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方,一般不太大,从128字节到几K字节都有,一掉电数据就没了。
EEPROM是掉电也不丢数据的存储器,一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位,一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。
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ls讲的很对,呵呵
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