说明PN结形成的原理
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一般说明.
P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反.平衡时,载流子的漂移与扩散相等,自建电场区没有载流子,称之为空间电荷区.
这样,PN结就形成了.
当接上正向电压,削弱了自建电场,使载流子沿扩散的方向持续运动,就有了正向导通电流;当接上反向电压,相当于增强了自建电场,使载流子(少子)沿漂移的方向运动,漂移的电流很小,等同于反向截止.
这就是PN结的原理.
P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反.平衡时,载流子的漂移与扩散相等,自建电场区没有载流子,称之为空间电荷区.
这样,PN结就形成了.
当接上正向电压,削弱了自建电场,使载流子沿扩散的方向持续运动,就有了正向导通电流;当接上反向电压,相当于增强了自建电场,使载流子(少子)沿漂移的方向运动,漂移的电流很小,等同于反向截止.
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