简述内存的各项参数?
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(1)系统时钟循环周期---他表示了SDRAM能运行的最大频率。譬如:一块系统时钟频率为10ns的SDRAM的芯片,他可以运行在100MHz的频率下。绝大多数的SDRAM芯片能达到这个要求。显然,这个数字越小,SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于现代(Hyundai)PC-100 SDRAM,它的芯片上所刻的-10代表了其运行的时钟周期为10ns,他可以跑100MHz的外频。根据现代的产品数据表我们可以知道这种芯片的存取数据的时间(以下会讲到该指标)为6ns。
(2)存取时间---类似于EDO/FPM DRAM,他代表了读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6,7,8或10ns。可是千万不要和系统时钟频率所混淆。许多人都把存取时间当作这块SDRAM芯片所能跑的外频。对于高士达(Goldstar)PC-100 SDRAM,它的芯片上所刻的-7代表了其存取时间为7ns。然而他的系统时钟频率仍然为10ns,外频为100MHz。
(3)CAS(纵向地址脉冲)反应时间---CAS的延迟时间。某些SDRAM能够运行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是说他们读取数据所延迟的时间既可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中,这样PC的BIOS会检查此项内容,并且以CL=2模式这一较快的速度运行。
(2)存取时间---类似于EDO/FPM DRAM,他代表了读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6,7,8或10ns。可是千万不要和系统时钟频率所混淆。许多人都把存取时间当作这块SDRAM芯片所能跑的外频。对于高士达(Goldstar)PC-100 SDRAM,它的芯片上所刻的-7代表了其存取时间为7ns。然而他的系统时钟频率仍然为10ns,外频为100MHz。
(3)CAS(纵向地址脉冲)反应时间---CAS的延迟时间。某些SDRAM能够运行在CAS Latency(CL)2或3模式。也就是说他们读取数据所延迟的时间既可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中,这样PC的BIOS会检查此项内容,并且以CL=2模式这一较快的速度运行。
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