霍尔传感器原理
霍尔传感器原理
霍尔传感器是一种磁传感器。用它可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础,是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业生产、交通运输和日常生活中有着非常广泛的应用。
一、霍尔效应霍尔元件 霍尔传感器
(一)霍尔效应
如图1所示,在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压,
它们之间的关系为 。其中d 为薄片的厚度,k称为霍尔系数,它的大小与薄片的材料有关。
上述效应称为霍尔效应,它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
(二)霍尔元件
根据霍尔效应,人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。
(三)霍尔传感器
由于霍尔元件产生的电势差很小,故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上,称之为霍尔传感器。
霍尔传感器也称为霍尔集成电路,其外形较小,如图2所示,是其中一种型号的外形图。
二、霍尔传感器的分类
霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
(一)线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。
(二)开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。
三、霍尔传感器的特性
(一)线性型霍尔传感器的特性
输出电压与外加磁场强度呈线性关系,如图3所示,可见,在B1~B2的磁感应强度范围内有较好的线性度,磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。
(二)开关型霍尔传感器的特性
如图4所示,其中BOP为工作点“开”的磁感应强度,BRP为释放点“关”的磁感应强度。
当外加的磁感应强度超过动作点Bop时,传感器输出低电平,当磁感应强度降到动作点Bop以下时,传感器输出电平不变,一直要降到释放点BRP时,传感器才由低电平跃变为高电平。Bop与BRP之间的滞后使开关动作更为可靠。
另外还有一种“锁键型”(或称“锁存型”)开关型霍尔传感器,其特性如图5所示。
当磁感应强度超过动作点Bop时,传感器输出由高电平跃变为低电平,而在外磁场撤消后,其输出状态保持不变(即锁存状态),必须施加反向磁感应强度达到BRP时,才能使电平产生变化。
四、霍尔传感器的应用
按被检测对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测受检对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,这个磁场是被检测的'信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量,例如速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电学量来进行检测和控制。
(一)线性型霍尔传感器主要用于一些物理量的测量。例如:
1.电流传感器
由于通电螺线管内部存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔传感器测量出磁场,从而确定导线中电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
霍尔电流传感器工作原理如图6所示,标准圆环铁芯有一个缺口,将霍尔传感器插入缺口中,圆环上绕有线圈,当电流通过线圈时产生磁场,则霍尔传感器有信号输出。
2.位移测量
如图7所示,两块永久磁铁同极性相对放置,将线性型霍尔传感器置于中间,其磁感应强度为零,这个点可作为位移的零点,当霍尔传感器在Z轴上作△Z位移时,传感器有一个电压输出,电压大小与位移大小成正比。
如果把拉力、压力等参数变成位移,便可测出拉力及压力的大小,如图8所示,是按这一原理制成的力传感器。
(二)开关型霍尔传感器主要用于测转数、转速、风速、流速、接近开关、关门告知器、报警器、自动控制电路等。
1.测转速或转数
如图9所示,,在非磁性材料的圆盘边上粘一块磁钢,霍尔传感器放在靠近圆盘边缘处,圆盘旋转一周,霍尔传感器就输出一个脉冲,从而可测出转数(计数器),若接入频率计,便可测出转速。
霍尔式传感器,利用半导体材料的霍尔效应进行刻星的一种磁敏式传感器。它可以直接测随磁场和做位移量,应用于电池测量、压力、加速度、振动等方面的测量领域。目前霍尔传感器已从分立元件发展到集成电路的阶段,正越来越受人们的重视,应用日益广泛。
一、电流与电压
电荷可以激发电场,并对置于电场中的其他电荷产生电场力的作用,类似于地球周围的重力场可以对人产生重力作用。电荷量越大,电场越强,相同距离间的电场力作用就越明显,这个作用就是电压。
也就是说,电压越大,表明电场越强,对电荷的作用力就越大。又因为,导体中存在大量自由电子(负电荷),所以,若给导体施加电压,就相当于在导体内部施加了个强电场,在这个强电场的作用力下,导体内部的自由电子因受到力的作用发生定向移动,这就是电流。且电压越大,电场越强,受到电场力发生移动的电荷(自由电子)就越多,电流就越大。换言之,电流一方面表明了电荷的定向移动,一方面又表示了移动的电荷量(单位时间通过导体截面的电荷量)。
另外,电场方向为电压正极指向电压负极,或者说,电场方向为正电荷指向负电荷。由于电荷之间同性相斥,异性相吸,若正电荷处于电场中,就会受到电场力从电压正极跑向负极,这个跑向就是电流正方向,所以把电流从电压正极流向负极的这种方向关系称为关联参考方向。
二、洛伦兹力
洛伦兹力属于电磁力的一种。电磁力包括宏观上的安培力以及微观上的洛伦兹力。所谓电磁力,是指通电导体或运动电荷处于磁场中时,会受到磁场的作用力。因为通电导体本质是其内部电荷的定向移动,大量运动电荷,每个运动电荷都受到洛伦兹力的作用,在宏观上就表现为导体所受到的安培力(各个洛伦兹力的合力)。
洛伦兹力的方向判断用左手定则,磁力线从掌心穿过,四指指向正电荷的运动方向(即电流正方向),拇指指向即为洛伦兹力方向,在这个力的作用下,正电荷的运动将发生偏转。
若运动电荷带负电,四指指向将相反(因为负电荷的运动方向与电流正方向相反),根据左手定则,可以发现,同一磁场中,正、负电荷所受到的洛伦兹力方向相反。毫无疑问,磁场越强,运动电荷所受到的洛伦兹力就越大。
三、霍尔效应
霍尔效应由物理学家霍尔发现,简单来说就是给半导体通电并将其置于磁场中,该半导体将会产生另一个电压。给一半导体通电,将有电流流过,电流由自由电子定向移动形成。
将磁体靠近通电的半导体,此时半导体处于磁场中。显然,半导体中定向移动的自由电子就会受到洛伦兹力的作用发生偏转。根据左手定则,磁力线从上往下穿过半导体,电子运动方向为四指反方向,则拇指为电子偏转方向。
另外,在半导体中,电荷除了自由电子外,还有失去电子的空穴(或者说离子,带正电),带有等量异性电荷,分别处于半导体两侧。由于异性电荷分别聚集在半导体两侧,这就会在半导体内部形成内电场,即正负电荷之间的空间存在电场。
电场的建立,相当于有了电压的存在,此时用电压表测半导体两侧,必然会有具体电压值,这个电压被称为霍尔电压或霍尔电势差。
结合上文所言的洛伦兹力,磁场越强,所能束缚的运动电荷就越多,那么半导体两侧聚集的异性电荷就越多,所建立的内电场就越强,即两侧的电压越大。
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