Question

请问大神，Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不等于过驱动电压vod=vgs-vth呢？

Answer 1

Vod=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。（长沟道器件）
但是考虑到短沟道效应的模型里，沟道里的多子因为速度饱和效应（Velocity saturation），Vds不需要到达Vod，只要到达Vdsat，Ids就会饱和，不会再上升。但是此时在物理上，沟道并未达到Pinch- off，直到Vds=Vod，沟道的Pinch-off现象才会出现。也就是说在短沟道模型中，器件在沟道Pinch-off之前就会达到速度饱和，电流 不会再增加（短沟道器件）
所以模型中是设定两者不相等的，实际上设计的时候也会对其取余量计算的。