晶体三极管的电流放大原理
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你说的对。一般的三极管放大(共射放大电路,输出信号从集电极引出),输出信号与输入信号在相位上刚好相差180度。
这个问题其实就是三极管的工作原理,属于微电子学的知识(PS:现在的高中居然要学这些,实在搞不懂)。三极管放大时,不可能两个PN结都反偏,而是BE结正偏,BC反偏。你说的两个反偏进行放大是完全错误的,这个状态叫截止。三极管还有一个状态就是两个PN结都正偏,称为饱和。有些三极管只工作在截止和饱和状态(在两种状态间不断变换),称为开关状态。
大概情况如下:
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC。
这个问题其实就是三极管的工作原理,属于微电子学的知识(PS:现在的高中居然要学这些,实在搞不懂)。三极管放大时,不可能两个PN结都反偏,而是BE结正偏,BC反偏。你说的两个反偏进行放大是完全错误的,这个状态叫截止。三极管还有一个状态就是两个PN结都正偏,称为饱和。有些三极管只工作在截止和饱和状态(在两种状态间不断变换),称为开关状态。
大概情况如下:
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC。
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