Question

加给可控硅的实际触发电压超过额定触发电压会怎样?

有C1的需要吗?把R1换成电容怎样?如果R1换成电容，那么其容抗需多少?如果把R1、C1或二极管短路，当按下开关是会怎样?电路还需要哪些改进? 可控硅信息:IGT max:50mA;VGT max:1.3V 问题较多，请耐心回答，因为电压较高，所以不敢实验。

Answer 1

你好:
--★1、这个可控硅电路不具备“移相”控制，属于“点动”控制开关，毫无使用意义:把点动开关代替可控硅，运行安全、更可靠。
--★2、再说电路本身:①、仅就充电回路来看，电容耐压6.3V是不合理的，电容有可能被击穿;②、即使充电完成，1000μ电容放电，过大的电流会损坏双向可控硅的。
--★3、一定要使用该电路作试验，应该采取两个措施:①、限制电容的充电电压，可以在电容上并联6V的稳压二极管;②、限制触发电流。可以在触发回路串联电阻来实现。