Question

mos管在饱和区时，其电子沟道已经被夹断了，为什么还有漏电流存在了？

一直不明白电子沟道是个能使漏电流通过的沟道还是这个沟道的电子也会是漏电流的一部分？书看的不是很明白，还请大神指教

Answer 1

一、先讲反型电子来自哪里：
1. 漏源电压为0。栅电压为正，p型衬底空穴被排斥，少子电子被吸引到表面；随着栅压增加，少子电子越来越多聚集在衬底表面，形成一层很薄的电子沟道，俗称反型。此时反型电子来自于衬底。
2. 漏源电压不为0，栅电压不变了。最容易得到电子的地方当然是源端，反型电子来自源端。
二、然后讲形成饱和电流的原理：
在夹断区出现耗尽层，横向电场大部分落在这个区，电场方向漏端指向源端，该夹断区边缘的反型电子(nmos)，由于扩散，一旦电子进入该区域就会被电场加速扯到漏端，从而形成电流。 至于为什么饱和，是因为电子迁移率不再与电场成线性增加的关系了，电子漂移速度达到饱和。这需要理论推导，略。
三、最后回到问题：反型电子是不是漏极电流的一部分？
答案是肯定的。你这相当于把电子分成了两种，一是最初没加漏源电压的反型电子，二是源端提供的电子。由上述分析知道，反型电子在mos工作的时候由源端提供，最初的那部分电子被电场扯走了以后，由源端来补充，这是个连续的过程。