Question

三极管的主要参数有哪些

试设计一个由单相整流、电容虑波、三端集成温压器组成的直流稳压电压源的电路图，要求输出电压为正负15v.<1>标出变压器副边的电压；二选择整流二极管；选择电容器；选择三端稳压器！急求答案

Answer 1

　　1、共射电流放大系数 和β
　　在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。
　　当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即

　　（5-6）

　　上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。

　　由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。

　　2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO

　　（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。

　　（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

　　3、极限参数

　　（1）集电极最大允许电流ICM

　　晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。

　　（2）集电极最大允许功耗PCM

　　晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即

　　PCM=ICUCE （5-7）

　　功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。

　　手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。

　　（3）反向击穿电压UBR（CEO）

　　反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。

　　4、温度对三极管参数的影响

　　几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

　　（1）对β的影响：

　　三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。

　　（2）对反向饱和电流ICEO的影响：

　　ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。

　　（3）对发射结电压ube的影响：

　　和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。

　　综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

Answer 2

Answer 3

三极管的参数简介。

Answer 4

要设计这个电路还是有难度的。自己做出来，收获才大。

Answer 5

220V/18V（双18V的，或36V带中心抽头的变压器）, 50W变压器一台；IN5408二极管6只，或RL604 KBP604 KBPC1010D 桥堆1个；50V 3300或4700 微法电容2个，25V 100微法2个102 103 104任意一容量的瓷片电容4个；LM7815和LM7915的三稳各一个；加尽量大的散热片2片，如果安装在一起就要做好绝缘，也可以选用塑封的三稳。电路图在电子技术教材，都能找到。