Question

抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致

A.Na、K、Cl，尤其是K
B.Na、K、Cl，尤其是Na
C.K、Cl，尤其是Cl
D.K、Cl，尤其是K+
E.Ca、K、Cl，尤其是Ca

Answer 1

【答案】：C
突触传递过程：当突触前神经元兴奋传到神经末梢时，突触前膜发生去极化，当去极化达一定水平时，即引起前膜上的一种电压门控式Ca2+通道开放，于是细胞外液中的Ca2+进入突触前末梢内。Ca2+进入前膜后起两方面的作用:一是降低轴浆黏度，有利于突触小泡位移；二是消除突触前膜内侧负电位，促进突触小泡和前膜接触、融合和胞裂，最终导致神经递质释放。递质在突触间隙经扩散到达突触后膜，作用于突触后膜上特异性受体或化学门控式通道，引起突触后膜上某些离子通道通透性改变，导致某些带电离子进入突触后膜，从而引起突触后膜的膜电位发生一定程度的去极化或超极化。这种突触后膜上的电位变化称为突触后电位。
如突触前膜兴奋，释放兴奋性神经递质，作用于突触后膜，使后膜对Na+和K+，尤其是Na+通透性增大，Na+内流在突触后膜上产生局部去极化电位（兴奋性突触后电位，EPSP）。
如突触前膜兴奋，释放抑制性神经递质，作用于突触后膜，使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-通透性增大，Cl-内流在突触后膜上产生局部超极化电位（抑制性突触后电位，IPSP）