如图所示,在平行板电容器的两板之间,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁感应强度B1=0.40T,方向垂直
如图所示,在平行板电容器的两板之间,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁感应强度B1=0.40T,方向垂直纸面向里,电场强度E=2.0×105V/m,PQ为板间中线.紧靠...
如图所示,在平行板电容器的两板之间,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁感应强度B1=0.40T,方向垂直纸面向里,电场强度E=2.0×105V/m,PQ为板间中线.紧靠平行板右侧边缘xOy坐标系的第一象限内,有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度B2=0.25T,磁场边界AO和y轴的夹角∠AOy=45°.一束带电量q=8.0×10-19C的同位素正离子从P点射入平行板间,沿中线PQ做直线运动,穿出平行板后从y轴上坐标为(0,0.2m)的Q点垂直y轴射入磁场区,离子通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角在45°~90°之间,不计离子重力,求:(1)离子运动的速度为多大?(2)x轴上被离子打中的区间范围?(3)离子从Q运动到x轴的最长时间?(4)若只改变AOy区域内磁场的磁感应强度大小,使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小B2′应满足什么条件?
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(1):离子在两板间时有:qE=qvB1
解得:v=5.0×105m/s
(2)当通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角为45°时,
到达x轴上的M点,如图所示,则:
r1=0.2m 所以:OM=
r1=0.2
m
当通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角为90°时,
到达x轴上的N点,则:
r2=0.1m 所以:ON=r2=0.1m
所以离子到达x轴的区间范围是0.1m≤x≤0.2
m;
(3)所有离子速速都相同,当离子运动路程最长时,时间也最长,由图知当r=r1时离子运动时间最长,
则:tm=
+
=7.14×10-7 s
(4)由牛顿第二定律有:qvB2=
则:m=
当r=r1时,同位素离子质量最大:m1=
=8.0×10?26kg
若质量最大的离子不能穿过直线OA,则所有离子必都不能到达x轴,由图可知使离子不能打到x轴上的最大半径:r3=
m
设使离子都不能打到x轴上,最小的磁感应强度大小为B0,则
qvB0=
解得 B0=
T=0.60T
则:B2?≥0.60T
答:(1)离子运动的速度为5.0×105m/s;
(2)x轴上被离子打中的区间范围为0.1m≤x≤0.2
m;
(3)离子从Q运动到x轴的最长时间为7.14×10-7 s;
(4)若只改变AOy区域内磁场的磁感应强度大小,使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小应满足B2?≥0.60T.
解得:v=5.0×105m/s
(2)当通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角为45°时,
到达x轴上的M点,如图所示,则:
r1=0.2m 所以:OM=
2 |
2 |
当通过x轴时的速度方向与x轴正方向夹角为90°时,
到达x轴上的N点,则:
r2=0.1m 所以:ON=r2=0.1m
所以离子到达x轴的区间范围是0.1m≤x≤0.2
2 |
(3)所有离子速速都相同,当离子运动路程最长时,时间也最长,由图知当r=r1时离子运动时间最长,
则:tm=
πr1 |
4v |
r1 |
v |
(4)由牛顿第二定律有:qvB2=
mv2 |
r |
qrB2 |
v |
当r=r1时,同位素离子质量最大:m1=
qrB2 |
v |
若质量最大的离子不能穿过直线OA,则所有离子必都不能到达x轴,由图可知使离子不能打到x轴上的最大半径:r3=
0.2 | ||
|
设使离子都不能打到x轴上,最小的磁感应强度大小为B0,则
qvB0=
m1v2 |
r3 |
解得 B0=
| ||
4 |
则:B2?≥0.60T
答:(1)离子运动的速度为5.0×105m/s;
(2)x轴上被离子打中的区间范围为0.1m≤x≤0.2
2 |
(3)离子从Q运动到x轴的最长时间为7.14×10-7 s;
(4)若只改变AOy区域内磁场的磁感应强度大小,使离子都不能打到x轴上,磁感应强度大小应满足B2?≥0.60T.
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