内存条ddr4和ddr3有啥区别？是不是性能要好很多？
DDR3内存是2007年开始应用的，属于前面一代的产品，DDR4内存在2014年底开始应用，属于新一代的产品。性能方面DDR4比DDR3有很大的提升。
DDR3内存条图片
1、DDR4内存频率原生支持2133MHz，DDR3原生是1866MHz，起始频率有不小的提升。
2、外形有所不同。接口位置发生了改变，DDR4金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
3、金手指设计不同。DDR3内存金手指是平直的形状。DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
DDR4内存条图片
4、参数的不同。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。容量方面DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
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2023-11-22 广告
DDR4与DDR3内存差异一：处理器
每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
DDR4与DDR3内存差异二：外型
DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
DDR4与DDR3内存差异三：参数
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
DDR4与DDR3内存差异四：容量和电压
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。
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首先，DDR4内存条的数据传输速率比DDR3更高。DDR4的数据传输速率通常是DDR3的两倍，这意味着DDR4内存能够在同样的时间内传输更多的数据，提高了系统运行速度。
其次，DDR4内存条相对于DDR3采用了较低的电压。DDR3内存的标准电压是1.5V，而DDR4降低至1.2V。较低的电压要求不仅可以降低功耗，还有助于降低发热，提高系统的稳定性和可靠性。
最后，DDR4内存条在理论性能方面确实比DDR3更快。虽然具体的性能提升取决于使用的系统和应用程序，但DDR4内存的高传输速率和低延迟可以提升大型应用、游戏和多任务处理的性能。尤其是在需要大量数据处理的场景下，DDR4内存能够更高效地处理数据。
总之，DDR4内存相对于DDR3内存在数据传输速率、电压要求和理论性能方面有所提升。然而，性能提升程度会受到具体的系统配置和使用情况的影响，因此需要综合考虑所需的性能和预算来选择适合的内存规格。
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