请教TTL与非门的工作原理
与门是用一只三发射极晶体管做的,在全是高电平输入时,晶体管的基极电位=输入电平3.6+0.7才对,可是资料上说因晶体管的三个发射结的钳位作用电位是0.7*3,百思不其解啊...
与门是用一只三发射极晶体管做的,在全是高电平输入时,晶体管的基极电位=输入电平3.6+0.7才对,可是资料上说因晶体管的三个发射结的钳位作用电位是0.7*3,百思不其解啊,望高手指点.
疑点就是晶体管的三个发射结的钳位作用,这个钳位搞不明白. 展开
疑点就是晶体管的三个发射结的钳位作用,这个钳位搞不明白. 展开
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问题描述不太清楚啊。与门的构成有三种方式:最简单的是用二极管并联作为输入端,公共点连输出断,其二是TTL电路,用三只晶体管串联,可构成三输入的与门,你的问题说的是这种方式,还有一种是用CMOS电路,逻辑与TTL一样。
问题描述不清楚的是“因晶体管的三个发射结的钳位作用电位是0.7*3”哪里不理解。因为三只三极管是串联的,当输入全是高电平时,三管同时导通,输出才是高电平。PN结正向导通的压降取决于材料,硅材是0.7V,锗材是0.3V,你所指的是硅材的。设集成电路内部的三管从参考电平到VCC依电势的高低依次为T1,T2,T3,其基极输入依次为A,B,C,则其输入高电平分别为VHA=VE1+0.7V,VHB=VE2+0.7V=VE1+1.4V,VHC=VE3+0.7V=VE1+2.1V。(VE为射极的电势)。由于逻辑门工作于饱和状态或截止状态,因此输入的逻辑高电平或逻辑低电平只要统一规定VL和VH门限电压就行了。此问题可以用电路原理和模电知识分析解决
问题描述不清楚的是“因晶体管的三个发射结的钳位作用电位是0.7*3”哪里不理解。因为三只三极管是串联的,当输入全是高电平时,三管同时导通,输出才是高电平。PN结正向导通的压降取决于材料,硅材是0.7V,锗材是0.3V,你所指的是硅材的。设集成电路内部的三管从参考电平到VCC依电势的高低依次为T1,T2,T3,其基极输入依次为A,B,C,则其输入高电平分别为VHA=VE1+0.7V,VHB=VE2+0.7V=VE1+1.4V,VHC=VE3+0.7V=VE1+2.1V。(VE为射极的电势)。由于逻辑门工作于饱和状态或截止状态,因此输入的逻辑高电平或逻辑低电平只要统一规定VL和VH门限电压就行了。此问题可以用电路原理和模电知识分析解决
参考资料: 施惠琼译.实用数字电子技术.[M].清华大学出版社,2006,P35
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