晶闸管导通条件
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晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
晶闸管的分类:
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管(TT国外,TTS国内)和光控晶闸管(LTT)等多种。
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用陶瓷封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或金属封装。
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管,快速晶闸管包括所有专为快速应用而设计的晶闸管,有常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管,可分别应用于400HZ和10KHZ以上的斩波或逆变电路中。
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单相晶闸管的导通条件:
1、晶闸管处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;
2、晶闸管阳极和阴极之间施加了正向电压,且电压幅值至少应超过0.7v;
3、门极与阴极之间施加正向电压,电压幅值应超过触发门槛电压,必须大于0.3v,一般为3~10v;
4、晶闸管导通电流,至少应大于其擎住电流,一般是维持电流的2倍左右;
5、门极电压施加的时间,必须超过开通时间,一般应超过6μs。
单相晶闸管的阻断条件:
1、晶闸管处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;
2、流过晶闸管的电流,必须小于维持电流;
3、流过晶闸管的电流保持为零的时间,必须小于其关断时间;
1、晶闸管处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;
2、晶闸管阳极和阴极之间施加了正向电压,且电压幅值至少应超过0.7v;
3、门极与阴极之间施加正向电压,电压幅值应超过触发门槛电压,必须大于0.3v,一般为3~10v;
4、晶闸管导通电流,至少应大于其擎住电流,一般是维持电流的2倍左右;
5、门极电压施加的时间,必须超过开通时间,一般应超过6μs。
单相晶闸管的阻断条件:
1、晶闸管处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;
2、流过晶闸管的电流,必须小于维持电流;
3、流过晶闸管的电流保持为零的时间,必须小于其关断时间;
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