Question

杂质半导体的多数载流子浓度由()决定

Answer 1

杂质浓度。

杂质半导体的载流子浓度主要由杂质浓度和温度决定。在杂质半导体中，掺杂杂质原子会引入额外的电子或空穴，从而增加半导体的导电性。杂质浓度越高，引入的载流子数量也就越多，因此杂质浓度是影响载流子浓度的重要因素之一。

此外，温度也会影响载流子浓度。在杂质半导体中，随着温度的升高，载流子的激发能量也会增加，从而使更多的电子或空穴跃迁到导带或价带中，增加半导体的导电性。因此，温度也是影响载流子浓度的重要因素之一。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级—施主能级。