IGBT管与场效应管的区别及用途?

在电磁炉里面这两个原件的区别?... 在电磁炉里面这两个原件的区别? 展开
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2021-08-12 · TA获得超过77万个赞
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IGBT全称是:绝缘栅双极型场效应晶体管,它是一种场效应管。它具有驱动简单,输入阻抗高,速度快等特点。

场效应管的种类很多,IGBT其实是BJT和MOSFET的复合,光从外表上看不出来,都是三个引脚封装的,管子上面的型号可以说明它属于哪一种。

一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流,而串联只能升高工作电压,而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子,不必用管子来串联提高,没有必要!至于是否能加管子那要看电路的功率余量(电源、输出、驱动)一般是不行的。

特点

与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。

(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流)。

(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。

(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好。

(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。

(5)场效应管的抗辐射能力强。

以上内容参考:百度百科-场效应管

GamryRaman
2023-06-12 广告
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必...... 点击进入详情页
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rvyogaii

推荐于2017-09-15 · TA获得超过5万个赞
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管(场效应管)和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管,大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管,功率可以做的很大。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
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匿名用户
2013-12-19
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所谓“IGBT融合了场效应管和晶体管的优点”这句话是不正确的,至少是不严谨的。因为IGBT管和场效应管本身都是晶体管的细分类,IGBT管更是“狭义”晶体管即“双极型晶体管”的一种
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匿名用户
2013-12-19
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简单来说就是一个开关管
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音响帝国总统
2019-12-04 · TA获得超过944个赞
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IGBT管的输入特性是场效应管的,输出特性是双极晶体管的。
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