Question

(15分)Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。

(15分)Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题： （1）下列说法正确的是__________（填序号） A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能 As>Ga C．电负性 As>Ga D．原子半径 As>Ga （2）砷化镓可由（CH 3 ） 3 Ga和AsH 3 在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；（3）AsH 3 空间形状为___________；已知（CH 3 ） 3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。（4）请解释金属铜能导电的原因 ， Cu 2+ 的核外电子排布式为__________________________。（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH 3 ） 4 ]SO 4 晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有 和 。

Answer 1

（15分） （1）BC （2分） （2）（CH 3 ） 3 Ga + AsH 3  GaAs + 3CH 4  （3分） （3）三角锥. （2分）  sp 2  （2分） （4）铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动（2分）    ［Ar］3d 9 或1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 9  （2分） （5）离子键，（1分）  配位键 （1分）

略