一正方形光滑金属线框位于有界匀强磁场区域内,线框平面与磁场垂直,线框的右边紧贴着磁场边界,如图甲.
一正方形光滑金属线框位于有界匀强磁场区域内,线框平面与磁场垂直,线框的右边紧贴着磁场边界,如图甲.t=0时刻对线框施加一水平向右的外力F,让线框从静止开始在水平面做匀加速...
一正方形光滑金属线框位于有界匀强磁场区域内,线框平面与磁场垂直,线框的右边紧贴着磁场边界,如图甲.t=0时刻对线框施加一水平向右的外力F,让线框从静止开始在水平面做匀加速直线运动穿过磁场.外力F随时间t变化的图线如图乙所示.已知线框质量m=1kg、电阻R=1Ω,求:(1)匀强磁场的磁感应强度B;(2)线框穿过磁场的过程中,通过线框的电荷量q.
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(1)t=0时刻,线框的速度为零,线框没有感应电流,不受安培力,加速度为a=
=
m/s2=1m/s2
线框的边长为 L=
at2=
×1×12m=0.5m
线框刚出磁场时的速度为 v=at=1×1m/s=1m/s,此时线框所受的安培力为FA=BIL,I=
,
则得 FA=
根据牛顿第二定律得 F-FA=ma
代入得 F-
=ma
代入数据 F=3N,m=1kg,R=1Ω,L=0.5m,v=1m/s,a=1m/s2解得,B=2
T
(2)由q=
△t,
=
,
=
,得
电量q=
=
=
C=
F |
m |
1 |
1 |
线框的边长为 L=
1 |
2 |
1 |
2 |
线框刚出磁场时的速度为 v=at=1×1m/s=1m/s,此时线框所受的安培力为FA=BIL,I=
BLv |
R |
则得 FA=
B2L2v |
R |
根据牛顿第二定律得 F-FA=ma
代入得 F-
B2L2v |
R |
代入数据 F=3N,m=1kg,R=1Ω,L=0.5m,v=1m/s,a=1m/s2解得,B=2
2 |
(2)由q=
. |
I |
. |
I |
| ||
R |
. |
E |
△Φ |
△t |
电量q=
△Φ |
R |
BL2 |
R |
2
| ||
1 |
|