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exynos 7420与麒麟960哪个好

Answer 1

三星Exynos8890的强悍不用多说，即使发布时间已经有一年了，但很多评测机构依然认为它是目前最强的手机处理器芯片，超越了骁龙821和
820、麒麟955等芯片。
这一芯片被三星用在了除中国大陆以外版本的三星S7/S7 edge上。
很多人一开始并不相信魅族会得到这款芯片并用在魅族手机上，比如这些网友。
另外，很多人不止认为三星Exynos 8890超越了高通821和麒麟955芯片，甚至还有人觉得它超越了麒麟最新旗舰芯片麒麟960，类似的文章也有很多。
但事实是，至少在性能上，无论是单线程成绩还是多线程成绩，麒麟960都比三星Exynos8890要高。
四大主流soc Geekbench跑分测试
在GPU性能上，麒麟960同样仅次于苹果A10处理器。
如果说很多人对此还是质疑，那么，来自竞争对手的“认同”应该足以说明。
比如这次的魅族Pro6Plus发布会上，魅族与骁龙821和骁龙820都进行了对比，显示也是比它们强，但与麒麟比只是拿麒麟955对比，并未列出麒麟960。
虽然并未直接与麒麟960对比，但这种“田忌赛马”式的对比，是间接承认三星Exynos8890性能上不如麒麟960。
魅族此前被吐槽过多使用联发科芯片，这次使用三星Exynos8890，即使不是最强芯片，相信仍能满足很多魅友的期待。
但是对于不久前购买魅族Pro6s的用户，也造成了不小的尴尬。
联发科Helio P35处理器曝光 支持10GB内存
据国外媒体PhoneArena报道，有内部人士透露联发科正在研发一款全新的中端处理器，定名为Helio P35。
这款处理器的架构为10核心，而内部运存为10GB。
Helio P35预计在2017年第三季度推出，超高的性价比相信会是这款处理器受到广大手机厂商欢迎的一个原因。
联发科Helio P35处理器
在规格方面，这款Helio P35采用Mali G71图形处理芯片，而它也是目前ARM旗下顶级的图形处理解决方案。
不过遗憾的是，Mali G71有可能是阉割版本，所以它所支持的最高分辨率为1080P。
与此同时，Helio P35最高支持10GB的LPDDR4运行内存，并且集成了下行速率达450Mbps的Cat 10 LTE调制解调器。
联发科的处理器自然会支持自家的技术，所以Helio P35将支持Pump Express 3.0快充标准。
不仅仅是10核心中端芯片，联发科的10nm制程工艺芯片也在紧锣密鼓的制作之中。
联发科首颗10nm芯片Helio X30定于年底量产亮相。
据了解，联发科Helio X30早在今年9月就发布。
其CPU架构为两个Cortex-A73 2.8GHz、四个Cortex-A53 2.3GHz、四个Cortex-A35 2.0GHz十核心，GPU使用PowerVR 7XTP，四核心，820MHz，支持最高2K分辨率、UFS 2.1闪存、最高8GB 四组16-bit LPDDR4X内存。
高通骁龙835和821哪个好？秒杀不过半年
处理器可以说是手机性能表现的核心依据，它在手机的所有组成部分中占据着重要的位置，手机能否反应迅速、流畅使用都和处理器的优劣息息相关。
目前手机市场的处理器大体可以分为四家，分别为高通骁龙、联发科、三星以及麒麟。
高通骁龙835和821哪个好？秒杀不过半年
在处理器方面，虽不能说高通一家独大，但是目前来看确实有它的优势存在，尤其是前不久刚刚发布的新一代高通骁龙835，回首半年前，高通发布了旗舰处理器821，作为820处理器的补充版本，性能也相比820提升了10%，但是随着新处理器的曝光，风头还是盖过了骁龙821。
那么作为明年的主流处理器究竟比高通821提升了哪些，今天就来为大家梳理一下。
高通骁龙821/821对比
首先先来回顾一下高通骁龙821的配置，这款处理器内置了四颗Koyo架构核心，两颗高频核心主频最高为2.4GHz，而低频核心主频最高为2.0GHz，GPU频率为650MHz。
其他方面骁龙821和820一致，均搭载了X12 LTE modem基带，支持Cat.12/13，最高支持下行600Mbps的高速网络，上传最高为150Mbps。
更为直观的提升体现在，更短的开机时间、更快的应用启动速度以及更顺畅的用户交互方面。
而全新的特性和功能包含了一个骁龙虚拟现实软件开发包，这显示是为VR准备的，还拥有双PDAF对焦方案，以及能够更加精准对焦的扩展激光自动对焦范围。
接下来看看骁龙835相对于821提升的地方：
首先，它采用了更先进的制程工艺，是半导体最新的10nm制程工艺，而821还是14nm制程。
与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
高通骁龙835发布
此外，它还拥有更强的CPU，据悉将采用八核心设计，弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点。
而在GPU方面，上一代骁龙821搭载了Adreno 530GPU，就目前而言性能上仅次于苹果A10的GPU，而新一代骁龙835想必也会搭载性能更为出色的GPU，以满足VR时代对于手机图形处理器的高要求。
预计还会采用Vulkan这个全新的图形API，虽然在高通骁龙820/821已经体现了Vulkan这一革命性的API，但显然还不够完善，毕竟这对GPU的性能也有一定的要求，而骁龙835升级了CPU以及GPU后，在次看来能够更为全面的发挥出应有的性能表现。
除了性能配置上的提升，它还将带给更快的充电速度，高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。
相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，并支持 Type-C。
能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。
大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。
另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。
在基带方面，高通骁龙也曾透露下一代产品的基带将会采用下行速率高达1Gbps的X16基带，相比于821的X12简直提升了太多，但是目前还不确定会不会将此技术应用于手机厂商，让手机用户也能享受到1Gbps的下载速率，但是至少可以肯定的是，已经拥有了更先进的基带技术。
编后语：
在高通发布了自家10nm制程的处理器后，许多其他供应商也开始了研制，例如联发科的十核Helio X30也是采用10纳米制程工艺，以及近两日曝出的麒麟970。
由此可见，移动芯片技术已经全面进入10纳米制程工艺时代，想必明年的手机产品也将带给不少惊喜。