请问这是内存条吗?
上面有16个写着hyuixKOREAHY57V64820HG0516AT-H这是什么?详细点谢谢麻烦说的详细点是内存条的话是多大的等详细资料...
上面有16个写着hyuix KOREA HY57V64820HG 0516A T-H
这是什么?详细点
谢谢
麻烦说的详细点 是内存条的话是多大的等 详细资料 展开
这是什么?详细点
谢谢
麻烦说的详细点 是内存条的话是多大的等 详细资料 展开
1个回答
展开全部
你这个是现代的早期SDRAM的64M内存,古董了。
HY XX X XX XX X X X X X X X
第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新。
第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。
第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank。
第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。
第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位置越靠后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。
第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗。
第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封装。
第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成。空白代表普通;S代表Hynix;K代表M&T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC)。
第12部分代表封装材料,由一个字母组成。空白表示普通,“P”代表铅,“H”代表卤素,“R”代表铅和卤素。AE|
HY XX X XX XX X X X X X X X
第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,“5D”表示为DDR内存,“57”表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压,由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V; U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为:64代表64MB容量,4K刷新;66代表64MB容量,2K刷新; 28代表128MB容量,4K刷新;56代表256MB容量,8K刷新;57代表256MB容量,4K刷新;12代表512MB容量,8K刷新;1G代表1GB容量,8K刷新。
第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。
第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank。
第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。
第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成,这部分的字母在26个字母中的位置越靠后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。
第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗。
第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封装。
第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成。空白代表普通;S代表Hynix;K代表M&T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC)。
第12部分代表封装材料,由一个字母组成。空白表示普通,“P”代表铅,“H”代表卤素,“R”代表铅和卤素。AE|
Jtti
2024-06-18 广告
2024-06-18 广告
导致香港服务器内存不足的原因比较多,Jtti总结了几点,具体如下:1、香港服务器应用程序池没有及时释放内存导致,应用程序池有一个默认回收的时间,到了这个时间就会自动释放内存,这个时间一般是1740分钟,而这种程度的时间可能会导致应用程序池无...
点击进入详情页
本回答由Jtti提供
推荐律师服务:
若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询