Question

哪位大虾用过IR2110，请指点迷津，不胜感激！

在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。
IR2110引脚功能及特点简介
内部功能如图4.18所示:

LO（引脚1）:低端输出
COM（引脚2）:公共端
Vcc（引脚3）:低端固定电源电压
Nc（引脚4）: 空端
Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压
VB (引脚6):高端浮置电源电压
HO（引脚7）:高端输出
Nc（引脚8）: 空端
VDD（引脚9）:逻辑电源电压
HIN（引脚10）: 逻辑高端输入
SD（引脚11）:关断
LIN（引脚12）:逻辑低端输入
Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V
Nc（引脚14）:空端

IR2110的特点：
（1）具有独立的低端和高端输入通道。
（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。
（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。
（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有 V的便移量。
（5）工作频率高，可达500KHz。
（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。
（7）图腾柱输出峰值电流2A。
IR2110的工作原理
IR2110内部功能由三部分组成：逻辑输入；电平平移及输出保护。如上所述IR2110的特点，可以为装置的设计带来许多方便。尤其是高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。
高端侧悬浮驱动的自举原理：
IR2110驱动半桥的电路如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压（VC1 VCC）。
当HIN为高电平时如图4.19 ：VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从而使S1导通。由于LIN与HIN是一对互补输入信号，所以此时LIN为低电平，VM3关断，VM4导通，这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电，由于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。
当HIN为低电平时如图4.20：VM1关断，VM2导通，这时聚集在S1栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg1迅速放电使S1关断。经过短暂的死区时间LIN为高电平，VM3导通，VM4关断使VCC经过Rg2和S2的栅极和源极形成回路，使S2开通。在此同时VCC经自举二极管，C1和S2形成回路，对C1进行充电，迅速为C1补充能量，如此循环反复。

IR2110驱动半桥逆变器的电路图
C1为自举二极管，自举电容。VD1必须使用与功率开关相同耐压等级的快恢复二极管，自举电容的设计也至关重要，C1的耐压要比功率器件充分导通时所需的驱动电压(10V，高压侧欠压锁定电压为8.7V/8.3V)高；若在C1的充电路径上有1.5V的压降，且假定有一半的栅压因泄漏而降低，则自举电容C1可按式(4)选取。

Answer 1

你这是在问啥问题的啊 ？？？没明白