如图所示,在磁感应强度为B=0.2T的匀强磁场中,有一导体MN在金属框架上以10m/s的速度向右匀速运动,已知
如图所示,在磁感应强度为B=0.2T的匀强磁场中,有一导体MN在金属框架上以10m/s的速度向右匀速运动,已知金属架的宽度为L=0.6m,电阻R1=R2=5Ω,导体MN的...
如图所示,在磁感应强度为B=0.2T的匀强磁场中,有一导体MN在金属框架上以10m/s的速度向右匀速运动,已知金属架的宽度为L=0.6m,电阻R1=R2=5Ω,导体MN的电阻r=0.5Ω,其余电阻不计.求:(1)导体MN两端的电压;(2)导体MN受到的安培力;(3)电阻R1消耗的电功率.
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(1)导体MN产生的感应电动势为E=BLv=0.2×0.6×10=1.2V
回路总电阻为R=
+r=
+0.5=3Ω
回路中总电流I=
=
=0.4A
导体MN两端的电压时路端电压UMN=E-Ir=(1.2-0.4×0.5)=1V
(2)导体MN受到的安培力为F=BIL=0.2×0.4×0.6=0.048N
(3)电阻R1消耗的电功率为P=
=
=0.2W
答:(1)导体MN两端的电压为1V;(2)导体MN受到的安培力为0.048N;(3)电阻R1消耗的电功率为0.2W.
回路总电阻为R=
R1R2 |
R1+R2 |
5+5 |
5+5 |
回路中总电流I=
E |
R |
1.2 |
3 |
导体MN两端的电压时路端电压UMN=E-Ir=(1.2-0.4×0.5)=1V
(2)导体MN受到的安培力为F=BIL=0.2×0.4×0.6=0.048N
(3)电阻R1消耗的电功率为P=
UMN2 |
R1 |
12 |
5 |
答:(1)导体MN两端的电压为1V;(2)导体MN受到的安培力为0.048N;(3)电阻R1消耗的电功率为0.2W.
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